Линейное и нелинейное компактное моделирование транзисторов

Разработчики усилителей используют современные модели транзисторов с момента их первого появления в середине 1970-х годов. Модели позволили инженерам создавать успешные передовые проекты без необходимости создания нескольких прототипов. Но какой выбрать метод моделирования и множества существующих?

Компактные модели транзисторов, основанные на измеренных характеристиках ВАХ (IV) и S-параметров, позволяют разработчикам переключить внимание с конструкции транзисторов на их схемы.

Компактные модели транзисторов, извлеченные из квазиизотермических импульсных данных ВАХ и импульсных S-параметров и проверенные с помощью определения характеристик нагрузки, содержат сокращенный набор параметров.

В отличие от других типов моделей, компактные модели учитывают сложные явления, такие как электротермические эффекты и эффекты захвата.

При симуляции в нелинейных условиях эксплуатации отклики на сложные модулированные сигналы (такие как EVM или ACPR) точно предсказываются, поскольку учитываются низкочастотные и высокочастотные эффекты памяти.

Компактные модели транзисторов идеально подходят для приложений на уровне кристаллов, так как разработка такой модели на основе параметров ВАХ и S-параметров проста и относительно быстра.

ПО IVCAD MT930M1 - Построение линейной модели

ПО IVCAD MT930M2 - Построение нелинейной модели

ПО IVCAD MT930M2 - Построение электротепловой модели

Программное обеспечение IVCAD

Программное обеспечение для измерения и моделирования IVCAD, предлагаемое RFC Microwave и AMCAD Engineering, поддерживает различные методы Load Pull, включая традиционные Load Pull с использованием внешних приборов, Load Pull на основе VNA, активные Load Pull и гибридные Load Pull. IVCAD позволяет выполнять измерения параметров шума, DC ВАХ, импульсных ВАХ и предусматривает инструменты моделирования устройств. Визуализация предоставляет пользователю интуитивно понятное отображение результатов измерений.